next up previous contents
Nächste Seite: Excitonen und Störstellen in Aufwärts: Epitaxie von Aluminium-Nitrid Vorherige Seite: Versetzungsdichten aus Channelingmessungen   Inhalt


Optische Eigenschaften von AlN

Eine PL-Messung an $AlN$ liefert im Vergleich zu $GaN$ nicht annähernd so viel Information, da mangels einer Laser-Quelle im tiefen UV um $200\:nm$ keine Anregung über die Bandlücke hinweg erfolgt.

Versuche am KI (s. Abb. 3.8) mittels Frequenz-Vervierfachung eines $Nd:YAG$-Lasers eine Pump-Anregung bei $266\:nm$, knapp unterhalb der $AlN$ Bandlücke von $6.2 eV$, zu erzielen, sind bisher nicht erfolgreich gewesen. Vermutlich reicht die resultierende Laser-Leistung für eine detektierbare Lumineszenzintensität nicht aus.

Abbildung 5.14: $AlN$ auf $SiC$ mit Referenz-Spektrum
r.6
\resizebox {.45\textwidth}{!}{\includegraphics{ps/PL_AlN}}

Messungen am Meßstand des Fraunhofer-Instituts mit einer $He:Cd$-Laserquelle (Anregung bei $\sim 4.0 eV$) zeigten auf Saphir schwache gelbe Lumineszenz, ein Spektrum auf $SiC$ im Vergleich mit der Linienform des reinen $SiC$-Spektrums ist in Abb. 5.14 zu sehen:

Bis auf die Fabry-Perot Oszillationen entspricht das $AlN$ Spektrum in seiner Form der herunter-skalierten $SiC$-Referenz. Anzunehmen ist also, daß das $AlN$ für den Laser bis auf eine Dämpfung transparent erscheint und einen optischen Resonator hoher Güte bildet, wie die Fabry-Perot-Oszillationen nahelegen. Genauere optische Untersuchungen an $AlN$ sind demnach nur mit alternativen Anregungsquellen möglich, wie z.B. in der CL.



Unterabschnitte
next up previous contents
Nächste Seite: Excitonen und Störstellen in Aufwärts: Epitaxie von Aluminium-Nitrid Vorherige Seite: Versetzungsdichten aus Channelingmessungen   Inhalt
Lars Steinke
1999-10-10