Eigenschaften

Die wichtigsten physikalischen Eigenschaften der Nitride sind in Tabelle 2.2 zusammengestellt. Insbesondere bilden die Wurtzit-Polytypen von $AlN$ & $GaN$ ein System von Legierungen vollständiger Mischbarkeit, wodurch eine Einstellmöglichkeit der direkten Bandlücken im Bereich von $6.2 - 3.4$ eV gegeben ist.

Tabelle: Eigenschaften von Nitriden und möglichen Substraten für deren Epitaxie. Quelle: [Strite and Morkoç, 1992]

Material	Bandgap	Gitterkon-	Wärmeleit-	th. Ausdeh-	Stapel
	@ 300K	stanten	fähigkeit	nungskoeff.	folge
	[$eV$]	a/c [Å]	[ $\frac{W}{cm\cdot K}$]	a/c [ $10^{-6} K^{-1}$]
2H $\mathbf{GaN}$	$3.39$	$3.189/5.185$	$1.3$	$5.59/3.17$	ABABAB
2H $\mathbf{AlN}$	$6.2$	$3.112/4.982$	$2.0$	$4.2/5.3$	ABABAB
6H $\mathbf{SiC}$	$\sim 3$	$3.08/15.12$	$4.9$	$4.2/4.68$	ABCACBA
2H $\mathbf{Al_{2}O_{3}}$	$\sim 6$	$4.785/12.991$	$0.5$	$7.5/8.5$	ABABAB
2H $InN$	$1.89$	$3.548/5.760$	$0.8$	$4/3$	ABABAB
$Si$	$1.12$	$5.43$	$1.5$	$3.59$	ABCABC
$GaAs$	$1.42$	$5.63$	$0.5$	$6$	ABCABC