Inhalt

• Inhalt
• Einleitung
• Molekularstrahlepitaxie von Nitriden
  • Molekularstrahlepitaxie
    • Prinzipien
    • Anwendungen
  • Nitride
    • Eigenschaften
    • Substrate für die Nitridepitaxie
    • Anwendungen
    • Probleme der Nitride
• Methoden der Materialcharakterisierung
  • Morphologische Charakterisierung
    • RHEED
    • Interferenzkontrastmikroskopie
    • Rutherford-Rückstreuung
    • Röntgendiffraktometrie
    • Rasterkraftmikroskop
  • Optische Charakterisierung
    • Photolumineszenz
    • Cathodolumineszenz
  • Elektrische Charakterisierung
    • Strom-Spannungs-Kennlinien
    • Hall-Messungen
• Epitaxie von Gallium-Nitrid
  • GaN: Untersuchungen zu Züchtungsparametern
    • Abhängigkeit der Wachstumsrate von den Flußverhältnissen
  • GaN: Optimierung der Wachstumsparameter
    • Abhängigkeit der Bandlücke von den Nukleationsbedingungen
    • Nukleation und Morphologie
• Epitaxie von Aluminium-Nitrid
  • AlN: Untersuchungen zu Züchtungsparametern
    • Untersuchung der AlN-Wachtumsmodi mit RHEED
    • Abhängigkeit der Wachstumsrate von den Flußverhältnissen
  • AlN: Optimierung der Wachstumsparameter
  • Struktur-Untersuchungen an Aluminium-Nitrid
    • Versetzungsdichten
  • Optische Eigenschaften von AlN
    • Excitonen und Störstellen in AlN
  • Phononenenergien von AlN
• Untersuchung der Substrateinflüsse auf die Nitrid-Epitaxie
  • Mikroröhren an der epitaktischen Oberfläche
  • Veränderte Wachstumsbedingungen an Mikroröhren
  • Oberflächen sehr dicker Schichten
  • Substrateinflüsse auf das GaN-Wachstum
    • Laterale Homogenität von GaN-Schichten
    • Unterschiede zwischen der Epitaxie auf Saphir und auf SiC
  • Substrateinflüsse auf das AlN-Wachstum
    • Versetzungsdichten auf Saphir und SiC
    • Substratinduzierte Verspannung
• Elektrische Eigenschaften der Nitride
  • Elektrische Eigenschaften von Gallium-Nitrid
    • Ohmsche Kontakte
    • Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerdichte und -beweglichkeit von GaN
  • Untersuchung der p-Dotierung von AlN
• Zusammenfassung
• Appendix
  • Zustandsdichten in 3D -1D
  • Quantentröge
    • Theorie finiter Quantentröge
    • Übergitter
  • Strom-Spannungs-Charakteristik einer Schottky-Barriere
  • Theorie des Hall-Effekts
    • Der Hall-Effekt für zwei Ladungsträgersorten
  • Beispiel eines MBE-Wachstumsprotokolls
• Akronyme
• Abbildungsverzeichnis
• Tabellenverzeichnis
• Literatur